三星披露了提高代工业务产能,并从2025年起量产2nm芯片的详细计划。

在年度三星代工论坛上,三星代工业务负责人Choi Si-young表示,该公司将“引领最先进的技术,同时进一步扩大硅(晶圆)的规模”。

在他的演讲中,Choi表示全球芯片市场正在进入“一个不确定的时代”,目前尚不清楚这个时代会持续多久:“然而,我们确实预计,很少有公司具备在生产规模这一新边界竞争的能力。”

该芯片制造商计划从2022年上半年开始生产客户的首批3nm芯片设计。三星在一份声明中称,与5nm工艺相比,3nm全环栅(GAA)节点的能提高了30%,功耗降低了50%,占用空间减少了35%。

Choi指出,3nm产品将在其正在扩建的韩国泽工厂和一家计划中的美国工厂(但没有透露位置细节)中生产。

第二代3nm芯片将于2023年量产。

该公司表示,计划中的2nm工艺使用GAA、多桥通道场效应晶体管(MBCFET)技术,目前处于早期开发阶段。

三星电子表示,其8nm射频台将通过支持毫米波应用,扩大在5G半导体市场的占有率。

此外,该公司还在推进14nm制程,以支持3.3V或闪存型的嵌入式MRAM,以提高写入速度和密度,目标应用是微控制器单元、物联网设备和可穿戴设备等。

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